是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.4 | 其他特性: | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 45 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 38 |
JEDEC-95代码: | TO-18 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 235 |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | CECC |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 200 MHz | VCEsat-Max: | 0.2 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ZT84 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package |
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ZT87 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-18 |
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ZT89 | SEME-LAB |
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MEDIUM POWER SILICON NPN PLANAR TRANSISTOR |
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ZT90 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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ZT90-522 | LAMBDA |
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Triple output 30W ~ 170W |
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ZT90-525 | LAMBDA |
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Triple output 30W ~ 170W |
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ZT90-5FF | LAMBDA |
获取价格 |
Triple output 30W ~ 170W |
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ZT90DA | ZETEX |
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Transistor |
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ZT90DB | ZETEX |
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Transistor |
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ZT90DC | ZETEX |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,CHIP / DIE |
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