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ZM2BBCRBG45S-A

更新时间： 2024-01-14 21:28:08
品牌 Logo 应用领域
SUNLED 光电
页数 文件大小 规格书
7页 302K
描述
3.5x2.8mm SURFACE MOUNT SMD CHIP LED

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ZM2BBCRBG45S-A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：3.50 X 2.80 MM, ROHS COMPLIANT, SMD, 6 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.40.20.00风险等级：5.77
Is Samacsys：N颜色：RED/GREEN/BLUE
配置：SEPARATE, 3 ELEMENTS最大正向电流：0.05 A
透镜类型：WATER CLEAR标称发光强度：1690.0/1195.0/317.0 mcd
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：6最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C光电设备类型：TRIPLE COLOR LED
总高度：1.4 mm包装方法：TAPE AND REEL
峰值波长：640/525/458 nm形状：RECTANGULAR
尺寸：2.4 mm表面贴装：YES
端子节距：3.05 mm视角：120 deg
Base Number Matches：1

ZM2BBCRBG45S-A 数据手册

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Part number:  
ZM2BBCRBG45S-A  
www.SunLED.com  
3.5x2.8mm SURFACE MOUNT SMD CHIP LED  
PRELIMINARY SPEC  
Features  
z OUTSTANDING MATERIAL EFFICIENCY.  
z LOW POWER CONSUMPTION.  
z ONE BLUE , ONE ORANGE AND ONE GREEN CHIPS IN  
ONE PACKAGE.  
z CAN PRODUCE ANY COLOR IN VISIBLE SPECTRUM,  
INCLUDING WHITE LIGHT.  
z SUITABLE FOR ALL SMT ASSEMBLY AND SOLDER  
PROCESS.  
z AVAILABLE ON TAPE AND REEL.  
z MOISTURE SENSITIVITY LEVEL : LEVEL 4.  
z PACKAGE: 1500PCS / REEL .  
z RoHS COMPLIANT.  
ATTENTION  
OBSERVE PRECAUTIONS  
FOR HANDLING  
ELECTROSTATIC  
DISCHARGE  
SENSITIVE  
DEVICES  
Notes:  
1. All dimensions are in millimeters (inches).  
2. Tolerance is ± 0.2(0.008") unless otherwise noted.  
3.Specifications are subject to change without notice.  
M2BB M2CR M2BG  
(InGa (AlInG (InGa Unit  
Operating Characteristics  
(TA=25°C)  
N)  
aP)  
N)  
Forward Voltage (Typ.)  
(IF=20mA)  
VF  
VF  
IR  
3.2  
2.2  
3.2  
V
V
M2BB M2CR M2BG  
(InGa (AlIn (InGa Unit  
Absolute Maximum Ratings  
(TA=25°C)  
Forward Voltage (Max.)  
(IF=20mA)  
N)  
GaP)  
N)  
3.7  
10  
2.8  
10  
3.7  
10  
Reverse Voltage  
Forward Current  
VR  
IF  
5
5
5
V
Reverse Current (Max.)  
(VR=5V)  
uA  
30  
50  
30  
mA  
Forward Current (Peak)  
1/10 Duty Cycle  
0.1ms Pulse Width  
Wavelength Of Peak  
Emission (Typ.)  
(IF=20mA)  
iFS  
100  
111  
150  
100  
111  
mA  
λ P  
λ D  
458  
465  
640  
630  
525  
535  
nm  
nm  
Power Dissipation  
PT  
TA  
140  
mW  
°C  
Wavelength Of Dominant  
Emission (Typ.)  
(IF=20mA)  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
-40 ~ +85  
-40 ~ +85  
Tstg  
Spectral Line Full Width  
At Half-Maximum (Typ.)  
(IF=20mA)  
Electrostatic Discharge  
Threshold (HBM)  
Δλ  
22  
25  
27  
39  
65  
nm  
pF  
1000  
-
1000  
V
Capacitance (Typ.)  
(VF=0V, f=1MHz)  
C
110  
Luminous  
Intensity  
(IF=20mA)  
mcd  
Wavelength  
Viewing  
Angle  
2 θ 1/2  
Part  
Number  
Emitting  
Color  
Emitting  
Material  
Lens-color  
nm  
λ P  
min.  
typ.  
Blue  
Red  
InGaN  
AlInGaP  
InGaN  
110  
900  
650  
317  
1690  
1195  
458  
640  
525  
ZM2BBCRBG45S-A  
Water Clear  
120°  
Green  
1234567

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