Datasheet > Z21010-10

Z21010-10

更新时间： 2024-09-28 20:28:55

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	475K
描述
Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PZIP19, PLASTIC, ZIP-20/19

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

Z21010-10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP, ZIP20,.1	针数：	20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.91
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PZIP-T19	JESD-609代码：	e0
长度：	26.162 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	19	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	ZIP
封装等效代码：	ZIP20,.1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	10.16 mm
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
Z21014-06	INTEL	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 60ns, CMOS, PZIP19, PLASTIC, ZIP-20/19
Z21014-07	INTEL	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 70ns, CMOS, PZIP19, PLASTIC, ZIP-20/19
Z21014-08	INTEL	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PZIP19, PLASTIC, ZIP-20/19
Z21014-10	INTEL	获取价格	Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PZIP19, PLASTIC, ZIP-20/19
Z210LA10	ETC	获取价格	RADIAL LEAD METAL OXIDE VARISTORS.LINE VOLTAGE SERIES
Z210LA20A	ETC	获取价格	RADIAL LEAD METAL OXIDE VARISTORS.LINE VOLTAGE SERIES
Z210LA4	ETC	获取价格	RADIAL LEAD METAL OXIDE VARISTORS.LINE VOLTAGE SERIES
Z210LA40A	ETC	获取价格	RADIAL LEAD METAL OXIDE VARISTORS.LINE VOLTAGE SERIES
Z2120	ETC	获取价格	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Z2120U	ETC	获取价格	TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR