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Z0107MA

更新时间: 2024-01-08 15:45:34
品牌 Logo 应用领域
APOLLOELECTRON 可控硅
页数 文件大小 规格书
6页 1589K
描述
Sensitive Triac

Z0107MA 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-223包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.07
Is Samacsys:N其他特性:SENSITIVE GATE
外壳连接:MAIN TERMINAL 2配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:5 mA最大直流栅极触发电压:1.5 V
最大维持电流:10 mAJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3最大漏电流:0.01 mA
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:1 A
断态重复峰值电压:700 V子类别:TRIACs
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
触发设备类型:4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches:1

Z0107MA 数据手册

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TN1A80  
Electrical Characteristics (Tj =25°C unless otherwise specified)  
Ratings  
Typ.  
Symbol  
Items  
Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
VD = VDRM, Single Phase, Half Wave  
Repetitive Peak Off-State  
Current  
IDRM  
-
-
0.5  
mA  
VTM  
I
TM = 1 A, tp=380㎲  
­
Peak On-State Voltage  
-
1.6  
V
I+  
GT1  
I
-
-
10  
10  
I -  
II  
-
-
GT1  
V
D = 12V, RL=100 Ω  
Gate Trigger Current  
mA  
I -  
III  
-
-
-
-
10  
30  
GT3  
I+  
IV  
I
GT3  
V+  
-
-
-
-
1.8  
1.8  
1.8  
GT1  
V-GT1  
V-GT3  
II  
V
V
D = 12V, RL=100 Ω  
Gate Trigger Voltage  
III  
-
-
V+  
IV  
-
-
2.0  
GT3  
VGD  
VD=1/2 VDRM  
Non-Trigger Gate Voltage  
0.1  
-
-
V
Tj = 110 °C  
Critical Rate of Rise Off-State  
Voltage  
dv/dt  
IH  
-
-
V
/㎲  
mA  
5
VD=2/3 VDRM  
Holding Current  
V =12V, I =0.1A  
-
­
25  
D
T
2/6  

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