Z0103NA0

更新时间： 2024-02-14 13:20:24

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恩智浦 - NXP		触发装置可控硅三端双向交流开关
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14页	603K
描述
Logic level four-quadrant triac

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Z0103NA0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	,
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	换向电压的临界上升率-最小值：	80 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：	0.0005 V/us	最大直流栅极触发电流：	3 mA
最大直流栅极触发电压：	1 V	最大维持电流：	7 mA
最大漏电流：	0.5 mA	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大均方根通态电流：	1 A
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

Z0103NA0 数据手册

Z0103NA0

NXP Semiconductors

4Q Triac

6. Characteristics

Table 6.

Symbol

Characteristics

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Static characteristics

I_GTgate trigger current

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2+ G+;

T_j= 25 °C; see Figure 7

0.2

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2+ G-; T_j= 25 °C;

see Figure 7

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2- G-; T_j= 25 °C;

see Figure 7

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T2- G+; T_j= 25 °C;

see Figure 7

I_L

latching current

V_D= 12 V; I_G= 0.1 A; T2+ G+;

T_j= 25 °C; see Figure 8

V_D= 12 V; I_G= 0.1 A; T2+ G-; T_j= 25 °C;

see Figure 8

V_D= 12 V; I_G= 0.1 A; T2- G-; T_j= 25 °C;

see Figure 8

V_D= 12 V; I_G= 0.1 A; T2- G+; T_j= 25 °C;

see Figure 8

I_H

holding current

V_D= 12 V; T_j= 25 °C; see Figure 9

I_T= 1 A; T_j= 25 °C; see Figure 10

V_T

V_GT

on-state voltage

gate trigger voltage

1.3

1.6

1.3

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A; T_j= 25 °C;

see Figure 11

V_D= 800 V; I_T= 0.1 A; T_j= 125 °C;

see Figure 11

0.2

I_D

off-state current

V_D= 800 V; T_j= 125 °C

0.5

Dynamic characteristics

dV_D/dt

rate of rise of off-state

voltage

V_DM= 536 V; T_j= 110 °C; gate open

circuit; exponential waveform;

see Figure 12

V/µs

dV_com/dt

rate of change of

V_D= 400 V; T_j= 110 °C;

0.5

commutating voltage

dI_com/dt = 0.44 A/ms; gate open circuit

Z0103NA0

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Product data sheet

Rev. 02 — 21 March 2011

7 of 14

1...4 5 678 9 10...14

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