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YJD212080NCFGHQ

更新时间： 2024-04-09 19:03:13

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TO-247-4L

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YJD212080NCFGHQ 数据手册

RoHS

YJD212080NCFGHQ

COMPLIANT

■Static Electrical Characteristics（Tc=25℃unless otherwise specified ）

PARAMTETER

Gate threshold voltage

SYMBOL

V_GS(th)

UNIT

Min.

Typ.

Max.

Test Conditions

V_DS=V_GS, I_D= 20mA

Note

4.5

Fig.4, 11

Drain source breakdown voltage

V_(BR)DSS

1200

V_GS=0, I_D=100uA

V_DS=1200V, V_GS= 0V

V_DS=1200V, V_GS= 0V, Tj= 175℃

V_GS= 20V, V_DS=0V

Zero gate voltage drain current

Gate source leakage current

I_DSS

mΩ

I_GSS

250

110

134

6.5

V_GS=20V, I_D=15A

Current drain source on-state

resistance

R_{DS ON}

Fig.3, 5, 6

V_GS=20V, I_D=15A,Tj=175℃

V_DS=9.8V,I_D=15A

Transconductance

g_f

■Dynamic Electrical Characteristics（Tc=25℃unless otherwise specified ）

PARAMTETER

Input capacitance

SYMBOL

Ciss

UNIT

Min.

Typ.

2644

Max.

Test Conditions

Note

Output capacitance

Reverse capacitance

Coss stored energy

Gate source charge

Coss

Crss

Fig.10

V_DS=800V, V_GS=0V, Tj=25℃,

f=1MHz, V_AC= 25mV

Eoss

Qgs

Fig.12

Fig.16

V_DS=800V, V_GS=-5/20V, I_D=20A

f =1MHz, V_AC= 25mV

Gate drain charge

Gate charge

Qgd

131

0.75

Internal Gate Resistance

R_G(int)

■Switching Characteristics（Tc=25℃unless otherwise specified ）

PARAMTETER

Turn on delay time

SYMBOL

UNIT

Min.

Typ.

Max.

Test Conditions

Note

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Rise time

V_DD=800V, V_GS=-5/+20V, I_D=20A,

R_L=40Ω, R_G(ext)= 2.7Ω

Turn off delay time

Fall time

26.4

Turn on switching energy

Turn off switching energy

Eon

Eoff

V_DD=800V, V_GS=-5/+20V, I_D=20A,

Fig.17, 18

R_g(ext)=2.7Ω

2 / 9

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

S-SIC134

Rev.1.1,11-Dec-23

www.21yangjie.com

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