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YBS22005

更新时间: 2022-02-26 10:19:11
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2页 158K
描述
Bridge Rectifier

YBS22005 数据手册

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RoHS  
YBS22005 THRU YBS2210  
COMPLIANT  
桥式整流Bridge Rectifier  
特征 Features  
外形尺寸 Outline Dimensions and Mark  
Io  
2.2A  
YBS
VRRM  
50-1000V  
Mounting Pad Layout  
.059(1.50)  
.256(6.70)  
.045(1.15)  
.051(1.30)  
.264(6.50)  
.037(0.95)  
.280(7.10  
)
玻璃钝化芯片  
.016(0.40)  
.079(2.00)  
.205(5.20)  
.011(0.27)  
.197(5.00)  
Glass passivated chip  
.071(1.80)  
+
-
耐正向浪涌电流能力高  
.041(1.05)  
.028(0.70)  
High surge forward current capability  
.291(7.40)  
.283(7.20)  
.339(8.60)  
.311(7.90)  
.360(9.15)  
~
~
用途 Applications  
.122(3.10)  
.114(2.90)  
作一般电源单相桥式整流用  
General purpose 1 phase Bridge  
rectifier applications  
Dimensions in inches and (millimeters)  
.003(0.08)  
.002(0.04)  
极限值(绝对最大额定值)  
Limiting ValuesAbsolute Maximum Rating)  
YBS22  
符号  
单位  
参数名称  
Item  
条件  
Conditions  
Symbol Unit  
005 01  
02  
04  
06  
08  
10  
反向重复峰值电压  
Repetitive Peak Reverse  
Voltage  
VRRM  
V
A
50  
100 200 400 600 800 1000  
平均整流输出电流  
Average Rectified Output  
Current  
60Hz正弦波,电阻负载,Tc=110℃  
60Hz sine wave, R-load, Tc=110℃  
IO  
2.2  
正向(不重复)浪涌电流  
Surge(Non-  
repetitive)Forward  
Current  
正向浪涌电流的平方对电  
60HZ正弦波,一个周期,Tj=25℃  
60HZ sine wave, 1 cycle, Tj=25℃  
IFSM  
A
90  
33  
1mst<8.3ms Tj=25℃,单个二极管  
1mst<8.3ms Tj=25℃,Rating of per  
diode  
I2t  
A2S  
流浪涌持续时间的积分值  
Current Squared Time  
存储温度  
Tstg  
Tj  
-55 ~+150  
-55 ~+150  
Storage Temperature  
结温  
Junction Temperature  
电特性 (T =25℃ 除非另有规定)  
a
Electrical CharacteristicsTa=25Unless otherwise specified)  
参数名称  
符号 单位  
测试条件  
最大值  
Item  
Symbol Unit  
Test Condition  
Max  
IFM=1.1A, 脉冲测试,单个二极管的额定值  
IFM=1.1A, Pulse measurement, Rating of per diode  
IFM=2.2A, 脉冲测试,单个二极管的额定值  
1.02  
1.1  
正向峰值电压  
Peak Forward Voltage  
VFM  
V
IFM=2.2A, Pulse measurement, Rating of per diode  
Tj=25℃  
Tj=125℃  
5
VRM=VRRM ,脉冲测试,单个二极管的额定值  
VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode  
反向峰值电流  
Peak Reverse Current  
IRRM  
μA  
500  
结和环境之间  
Between junction and ambient  
结和引线之间  
Between junction and lead  
结和壳之间  
R
55  
15  
10  
θJ-A  
热阻  
R
R
/W  
θJ-L  
Thermal Resistance  
θJ-C  
Between junction and case  
扬州扬杰电子科技股份有限公司  
www.21yangjie.com  
S-S624  
Rev. 1.0,26-Nov-15  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  

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