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YA878C20R

更新时间: 2024-02-06 22:45:45
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富士电机 - FUJI 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 592K
描述
Ultra Low IR Schottky Barrier Diode

YA878C20R 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220AB, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流:160 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

YA878C20R 数据手册

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FUJI Diode  
http://www.fujisemi.com  
YA878C20R (200V, 30A)  
Junction Capacitance Characteristic (max.)  
1000  
100  
10  
360  
I0  
VR=100V  
1
10  
100  
1000  
VR Reverse Voltage (V)  
3

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