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X28HC256KMB-15

更新时间： 2024-02-07 07:09:34

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罗彻斯特 - ROCHESTER		内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM

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X28HC256KMB-15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	PGA	包装说明：	PGA, PGA28,5X6
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.2	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CPGA-P28
JESD-609代码：	e0	长度：	16.51 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA28,5X6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	4.62 mm
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	宽度：	14 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

X28HC256KMB-15 数据手册

–

NTRODUCTION

X^P2^R8^OH^DC^UC2^T56DM-12

Rochester Electronics has re-introduced and continues to manufacture critically needed semiconductors with the full

authorization of the original manufacturer and an attention to quality that meets or exceeds the original component.

Original Manufacturer:

X28HC256DM-12

Original Part Number: X28HC256DM-12

Description: 256K EEPROM

Package: 28 pin DIP

Manufacturing Flow: MTO

Endurance: 1,000,000 cycles

Available in Pb-Free versions

Re-introduced by

Rochester Electronics on

October, 31, 2012

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X28HC256EI-12 X28HC256KMB-15

LOW POWER CMOS EEPROM

with hi-speed page write capability

The X28HC256 is

second generation high

a 24µs/byte write cycle, and enabling the entire

memory to be typically rewritten in less than 0.8

seconds. The X28HC256 also features DATA

Polling and Toggle Bit Polling, two methods

of providing early end of write detection.

performance CMOS 32k x 8 EEPROM. It is fabricated

with Intersil’s proprietary, textured poly ﬂoating

gate technology, providing a highly reliable 5V only

nonvolatile memory. The X28HC256 supports a 128-

byte page write operation, eﬀectively providing

Worldwide Corporate Headquarters

16 Malcolm Hoyt Drive . Newburyport, MA 01950

phone 978.462.9332 . email sales@rocelec.com . web www.rocelec.com

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X28HC256KMB-90	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC256KMB-90	ROCHESTER	获取价格	LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM
X28HC256KMB-90	RENESAS	获取价格	32KX8 EEPROM 5V, 90ns, CPGA28, CERAMIC, PGA-28
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