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X28HC256P-70 PDF预览

X28HC256P-70

更新时间： 2024-11-20 20:13:59
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 297K
描述
32KX8 EEPROM 5V, 70ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

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X28HC256P-70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：PLASTIC, DIP-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.69最长访问时间：70 ns
命令用户界面：NO数据轮询：YES
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e0长度：37.4 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
页面大小：128 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：6.35 mm最大待机电流：0.0005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
宽度：15.24 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

X28HC256P-70 数据手册

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X28HC256  
®
256K, 32K x 8 Bit  
Data Sheet  
June 1, 2005  
FN8108.0  
DESCRIPTION  
5 Volt, Byte Alterable EEPROM  
The X28HC256 is a second generation high perfor-  
mance CMOS 32K x 8 EEPROM. It is fabricated with  
Intersil’s proprietary, textured poly floating gate tech-  
nology, providing a highly reliable 5 Volt only nonvola-  
tile memory.  
FEATURES  
• Access time: 70ns  
• Simple byte and page write  
—Single 5V supply  
—No external high voltages or V control circuits  
—Self-timed  
—No erase before write  
—No complex programming algorithms  
—No overerase problem  
• Low power CMOS  
—Active: 60mA  
—Standby: 500µA  
• Software data protection  
—Protects data against system level inadvertent  
writes  
PP  
The X28HC256 supports a 128-byte page write opera-  
tion, effectively providing a 24µs/byte write cycle, and  
enabling the entire memory to be typically rewritten in  
less than 0.8 seconds. The X28HC256 also features  
DATA Polling and Toggle Bit Polling, two methods of  
providing early end of write detection. The X28HC256  
also supports the JEDEC standard Software Data Pro-  
tection feature for protecting against inadvertent writes  
during power-up and power-down.  
Endurance for the X28HC256 is specified as a mini-  
mum 1,000,000 write cycles per byte and an inherent  
data retention of 100 years.  
• High speed page write capability  
™
• Highly reliable Direct Write cell  
—Endurance: 1,000,000 cycles  
—Data retention: 100 years  
• Early end of write detection  
—DATA polling  
—Toggle bit polling  
BLOCK DIAGRAM  
256Kbit  
EEPROM  
Array  
X Buffers  
Latches and  
Decoder  
A0–A14  
Address  
Inputs  
I/O Buffers  
and Latches  
Y Buffers  
Latches and  
DECODER  
I/O0–I/O7  
Data Inputs/Outputs  
CE  
Control  
OE  
Logic and  
Timing  
WE  
VCC  
VSS  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
1-888-INTERSIL or 1-888-468-3774 | Intersil (and design) is a registered trademark of Intersil Americas Inc.  
Copyright Intersil Americas Inc. 2005. All Rights Reserved  
1
All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28HC256P-90 ROCHESTER

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 		LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM
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 		5 Volt, Byte Alterable EEPROM
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 		5 Volt, Byte Alterable EEPROM
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 		32KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

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