是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP24,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 350 ns |
其他特性: | BYTE WRITE; OVER 100 YEARS DATA RETENTION | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | NO | 数据保留时间-最小值: | 100 |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 32.07 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.72 mm | 最大待机电流: | 0.04 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.11 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | NMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | NO |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X2816ADM-45 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
![]() |
X2816ADMB | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, MOS, CDIP24, |
![]() |
X2816ADMB/C6361 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, MOS, CDIP24, |
![]() |
X2816ADMB-25 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, MOS, CDIP24, |
![]() |
X2816ADMB-35 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
![]() |
X2816ADMB-45 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
![]() |
X2816AE-25 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, NMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
![]() |
X2816AE-35 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
![]() |
X2816AE-45 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
![]() |
X2816AEI | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, NMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
![]() |