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X2130B1N1

更新时间: 2024-02-11 11:47:40
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 300V V(RRM), Silicon,

X2130B1N1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:X-XXSS-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.45Is Samacsys:N
最小击穿电压:300 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:X-XXSS-XJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:250 A元件数量:4
相数:1封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:SPECIAL SHAPE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:300 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

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