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X2080Z1B1-S

更新时间: 2024-01-28 09:31:52
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 53K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,

X2080Z1B1-S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-XXMA-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.81配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-XXMA-X元件数量:6
相数:3封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

X2080Z1B1-S 数据手册

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