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X0203DN

更新时间： 2024-01-26 03:09:12

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅光电二极管栅极
页数	文件大小	规格书
5页	57K
描述
1A, 400V, SCR

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X0203DN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.28	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	0.005 mA	通态非重复峰值电流：	25 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	1400 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1 A	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

X0203DN 数据手册

X02xxxN

THERMAL RESISTANCES

Symbol

Parameter

Value

Unit

°C/W

Rth(j-a)

Rth(j-t)

Junction to ambient *

Junction to tab for DC

* : With 5cm copper (e=35µm) surface under tab.

GATE CHARACTERISTICS (maximum values)

P_{G (AV)}= 0.2 W P_GM= 3 W (tp = 20 µs)

I_GM= 1.2 A (tp = 20 µs)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Sensitivity

Symbol

Test Conditions

Unit

I_GT

V_D=12V (DC) R_L=140Ω

Tj= 25°C

MIN

µA

MAX

200

0.8

0.1

V_GT

V_GD

V_D=12V (DC) R_L=140Ω

Tj= 25°C MAX

Tj= 125°C MIN

V_D=V_DRMR_L=3.3kΩ

R_GK= 1 KΩ

V_RGM

tgd

I_RG=10µA

Tj= 25°C

MIN

V_D=V_DRMI_TM= 3 x I_T(AV

)

Tj= 25°C TYP

0.5

µs

dI_G/dt = 0.1A/µs I_G= 10mA

I_T= 50mA R_GK= 1 KΩ

I_G=1mA R_GK= 1 KΩ

I_H

I_L

Tj= 25°C MAX

Tj= 110°C MAX

Tj= 110°C TYP

Tj= 110°C MAX

I_TM= 2.8A tp= 380µs

V_TM

1.5

I_DRM

I_RRM

V_D= V_DRMR_GK= 1 KΩ

V_R= V_RRM

µA

V/µs

µs

200

100

dV/dt

V_D=67%V_DRMR_GK= 1 KΩ

I_TM= 3 x I_T(AV) V_R=35V

dI/dt=10A/µs tp=100µs

dV/dt=2V/µs

V_D= 67%V_DRMR_GK= 1 KΩ

ORDERING INFORMATION

X 02 03 M N

PACKAGE :

N = SOT223

SCR TOP GLASS

CURRENT

VOLTAGE

SENSITIVITY

2/5

123 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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