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WT635-01D PDF预览

WT635-01D

更新时间： 2024-02-17 21:05:14

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	242K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 150A I(C) \| TO-210AE

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WT635-01D 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.06
最大集电极电流 (IC)：	150 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	850 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

WT635-01D 数据手册

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与WT635-01D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
WT635-01M	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 150A I(C) \| STX-8	获取价格
WT635-02D	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 150A I(C) \| TO-210AE	获取价格
WT635-02M	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 150A I(C) \| STX-8	获取价格
WT6401	WEITRON	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	获取价格
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