是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.68 | 最长访问时间: | 55 ns |
JESD-30 代码: | R-CDMA-T32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WS512K8-55CQE | ETC |
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x8 SRAM Module | |
WS512K8-55HI | WEDC |
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Memory IC, | |
WS-512K8-70CC | ETC |
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x8 SRAM Module | |
WS-512K8-70CI | ETC |
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x8 SRAM Module | |
WS512K8-70CIE | ETC |
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x8 SRAM Module | |
WS-512K8-70CM | ETC |
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x8 SRAM Module | |
WS512K8-70CME | ETC |
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x8 SRAM Module | |
WS512K8-70CQE | ETC |
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x8 SRAM Module | |
WS512K8-70HC | WEDC |
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Memory IC, | |
WS-512K8-85CC | ETC |
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x8 SRAM Module |