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WS512K8-55CME

更新时间: 2024-02-17 09:01:03
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
6页 177K
描述
x8 SRAM Module

WS512K8-55CME 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.68最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-CDMA-T32JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

WS512K8-55CME 数据手册

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