是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DFP | 包装说明: | DFP, FL32,.4 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.06 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CDFP-F32 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 21.82 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL32,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
反向引出线: | NO | 筛选级别: | MIL-PRF-38534 Class H |
座面最大高度: | 2.9972 mm | 最大待机电流: | 0.00045 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 最大压摆率: | 0.16 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Gold (Au) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.8712 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WMS512K8-55FFQA | MERCURY |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, DFP-32 | |
WMS512K8-55FI | WEDC |
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512Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-95613 | |
WMS512K8-55FI | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 | |
WMS512K8-55FIA | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 | |
WMS512K8-55FIA | WEDC |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC,DFP-36 | |
WMS512K8-55FIA | MERCURY |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 | |
WMS512K8-55FM | WEDC |
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512Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-95613 | |
WMS512K8-55FM | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 | |
WMS512K8-55FMA | MERCURY |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 | |
WMS512K8-55FMA | WEDC |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC,DFP-36 |