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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1500A | 标称电路换相断开时间： | 130 µs |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 4000 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.9 V | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 通态非重复峰值电流： | 18000 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大通态电流： | 1020000 A |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1995 A | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SYMMETRICAL GTO SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG15012R02 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1995A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| WG15012R03 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1995 A, 1200 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG15012R05 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1995A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element |
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| WG15012R06 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1995A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
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| WG15012R07 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1995A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element |
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| WG15012R08 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1995A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
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| WG15012R10 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1995A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| WG15012R11 | IXYS |
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Gate Turn-Off SCR, 1995A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element |
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| WG15012SP | ETC |
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THYRISTOR|GTO|TO-200AE |
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| WG15013 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1995A I(T)RMS, 1300V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element |
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