5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1200A | 标称电路换相断开时间： | 140 µs |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 1300 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.9 V | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 通态非重复峰值电流： | 10000 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大通态电流： | 600000 A |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1180 A | 断态重复峰值电压： | 2600 V |
| 重复峰值反向电压： | 2600 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SYMMETRICAL GTO SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG12026R04 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2600V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12026R05 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2600 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG12026R06 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12026R08 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2600V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12026R09 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2600V V(DRM), 900V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12026R10 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2600 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG12026R11 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2600V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12026R12 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2600V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12026R14 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2600V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12026R15 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2600V V(DRM), 1500V V(RRM), 1 Element |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
