5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 1200A | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 断态重复峰值电压： | 2200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1700 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | GATE TURN-OFF SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG12022R18 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2200V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12022R20 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2200V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12022R21 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 2200V V(DRM), 2100V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12022R22 | IXYS |
获取价格 |
Symmetrical GTO SCR, 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12023FR02 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1340A I(T)RMS, 2300V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12023FR04 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1340A I(T)RMS, 2300V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12023FR07 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1340 A, 2300 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG12023FR08 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1340A I(T)RMS, 2300V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
|
| WG12023FR10 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1340 A, 2300 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG12023FR12 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1340 A, 2300 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
