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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-MXDB-H2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | PEAK TURN-OFF CURRENT IS 900A |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-MXDB-H2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压： | 600 V | 重复峰值反向电压： | 600 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 触发设备类型： | SYMMETRICAL GTO SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| WG10026RXX | ETC |
获取价格 |
GATE TURN THYRISTORS |
|
| WG10026S | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|2.6KV V(DRM)|TO-200VAR74 |
|
| WG10026S26 | IXYS |
获取价格 |
Symmetrical GTO SCR, 1065A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10026S28 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1065A I(T)RMS, 3500V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10026S30 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 1065A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 18V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10026S32 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1065 A, 3700 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10026S34 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1065 A, 3800 V, GATE TURN-OFF SCR |
|
| WG10027F | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 980 A, 2700 V, GATE TURN-OFF SCR |
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| WG10027FR | IXYS |
获取价格 |
Symmetrical GTO SCR, 980A I(T)RMS, 2700V V(DRM), 2700V V(RRM), 1 Element |
|
| WG10027FR02 | IXYS |
获取价格 |
Gate Turn-Off SCR, 980A I(T)RMS, 2700V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
|
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