是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIMM |
包装说明: | DIMM, | 针数: | 168 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.32 | 风险等级: | 5.77 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 168 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
组织: | 16MX64 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
WED3DG6417V75D1 | WEDC |
获取价格 |
128MB- 16Mx64 SDRAM, UNBUFFERED |
![]() |
WED3DG6417V75D1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, SODIMM-144 |
![]() |
WED3DG6417V75D1-G | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, PDMA144, |
![]() |
WED3DG6417V75D1-GG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 |
![]() |
WED3DG6417V75D2 | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, DIMM-168 |
![]() |
WED3DG6417V75D2I | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, DIMM-168 |
![]() |
WED3DG6417V7D1 | WEDC |
获取价格 |
128MB- 16Mx64 SDRAM, UNBUFFERED |
![]() |
WED3DG6417V7D1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, SODIMM-144 |
![]() |
WED3DG6417V7D1-G | WEDC |
获取价格 |
暂无描述 |
![]() |
WED3DG6417V7D1-GG | WEDC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-144 |
![]() |