是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | DIMM, | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.68 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 5.4 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N168 | JESD-609代码: | e4 |
内存密度: | 4294967296 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 168 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX64 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Gold (Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
W3DG6463V7D2-M | WEDC |
获取价格 |
512MB - 2x32Mx64 SDRAM UNBUFFERED |
![]() |
W3DG6463V7D2-M | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168 |
![]() |
W3DG6463V7D2-MG | WEDC |
获取价格 |
512MB - 2x32Mx64 SDRAM UNBUFFERED |
![]() |
W3DG6463V7D2-MG | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-168 |
![]() |
W3DG6463V7D2-S | WEDC |
获取价格 |
512MB - 2x32Mx64 SDRAM UNBUFFERED |
![]() |
W3DG6463V7D2-S | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, DIMM-168 |
![]() |
W3DG6463V7D2-SG | WEDC |
获取价格 |
512MB - 2x32Mx64 SDRAM UNBUFFERED |
![]() |
W3DG6463V7D2-SG | MICROSEMI |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-168 |
![]() |
W3DG6463V7D2-X | WEDC |
获取价格 |
512MB - 2x32Mx64 SDRAM UNBUFFERED |
![]() |
W3DG6463V-D2 | WEDC |
获取价格 |
512MB - 2x32Mx64 SDRAM UNBUFFERED |
![]() |