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W01M

更新时间: 2024-01-10 01:51:39
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虹扬 - HY /
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

W01M 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PBCY-W4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.59
Is Samacsys:N最小击穿电压:50 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PBCY-W4
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:1.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
最大重复峰值反向电压:50 V表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

W01M 数据手册

 浏览型号W01M的Datasheet PDF文件第1页 
RATING AND CHARACTERTIC CURVES  
WO/WOM SERIES  
FIG.1-DERATING CURVE  
OUTPUT RECTIFIED CURRENT  
FIG. 1 MAXIMUM FORWARD SURGE CURRENT  
1.5  
60  
50  
40  
30  
TJ-25  
20  
10  
0
0
1
100  
10  
100  
150  
50  
NUMBER OF CYCLE AT 60 HZ  
AMBIENT TEMPERATURE ,℃  
FIG.3-TYPICAL FORWARD  
CHARACTERISTICS  
FIG.4-TYPIACL REVERSE  
CHARACTERISTICS  
10.0  
1.0  
10  
TJ=25  
TYPICAL  
DISTRIBUTION  
1.0  
TJ=25℃  
0.1  
0.1  
0.01  
0.01  
80  
120  
140  
0.4  
0.6  
1.0  
0
20  
40  
60  
100  
0.8  
1.2  
1.4  
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE  
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE. VOLTS  
~ 242 ~  

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