5秒后页面跳转
VTS3186 PDF预览

VTS3186

更新时间: 2024-02-28 20:14:15
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 光电电池
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION

VTS3186 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
有效面积:10 sq mm安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
开路输出电压:0.25 V最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C光电设备类型:PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION
峰值波长:925 nm半导体材料:SILICON
表面贴装:NO

VTS3186 数据手册

  
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与VTS3186相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VTS3187 ETC

获取价格

PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION
VTS3190 ETC

获取价格

PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION
VTS3191 ETC

获取价格

PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION
VTS3192 ETC

获取价格

PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION
VTS3193 ETC

获取价格

PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION
VTS3194 ETC

获取价格

PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION
VTS3195 ETC

获取价格

PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION
VTS3196 ETC

获取价格

PHOTOVOLTAIC CELL FOR INFRARED DETECTION
VTS321474LBBNBXDPEZC-PF ACT

获取价格

TCXO/VC-TCXO, 3.2 x 2.5mm, Clipped sine wave
VTS321474LBBNBXDPEZD-PF ACT

获取价格

TCXO/VC-TCXO, 3.2 x 2.5mm, Clipped sine wave