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VS-SD1100C08C

更新时间： 2024-01-27 22:34:53
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 高压大电源高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
8页 205K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1400A, 800V V(RRM), Silicon,

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VS-SD1100C08C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：18 weeks
风险等级：5.75应用：HIGH VOLTAGE HIGH POWER
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.31 V
JESD-30 代码：O-CEDB-N2最大非重复峰值正向电流：13600 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：180 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：1400 A
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向电流：35000 µA
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

VS-SD1100C08C 数据手册

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VS-SD1100C..C Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
FORWARD CONDUCTION  
SD1100C..C  
UNITS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
04 to 20  
25 to 32  
1400 (795) 1100 (550)  
A
Maximum average forward current   
at heatsink temperature  
180° conduction, half sine wave  
Double side (single side) cooled  
IF(AV)  
55 (85)  
2500  
13 000  
13 600  
10 930  
11 450  
846  
55 (85)  
2000  
10 500  
11 000  
8830  
9250  
551  
°C  
Maximum RMS forward current  
IF(RMS)  
25 °C heatsink temperature double side cooled  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
No voltage  
reapplied  
A
Maximum peak, one-cycle forward,   
non-repetitive current  
IFSM  
100 % VRRM  
reapplied  
Sinusoidal half wave,  
initial TJ = TJ  
maximum  
No voltage  
reapplied  
772  
503  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
kA2s  
598  
390  
100 % VRRM  
reapplied  
546  
356  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied  
(16.7 % x x IF(AV) < I < x IF(AV)), TJ = TJ maximum  
(I > x IF(AV)), TJ = TJ maximum  
8460  
0.78  
5510  
0.84  
kA2s  
Low level value of threshold voltage  
High level value of threshold voltage  
VF(TO)1  
VF(TO)2  
V
0.94  
0.88  
Low level value of forward   
slope resistance  
rf1  
(16.7 % x x IF(AV) < I < x IF(AV)), TJ = TJ maximum  
(I > x IF(AV)), TJ = TJ maximum  
0.35  
0.40  
m  
High level value of forward   
slope resistance  
rf2  
0.26  
1.31  
0.38  
1.44  
Ipk = 1500 A, TJ = TJ maximum   
tp = 10 ms sinusoidal wave  
Maximum forward voltage drop  
VFM  
V
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS  
SD1100C..C  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
°C  
04 to 20  
25 to 32  
Maximum junction operating   
temperature range  
TJ  
- 40 to 180 - 40 to 150  
Maximum storage temperature range  
TStg  
- 55 to 200  
0.076  
DC operation single side cooled  
DC operation double side cooled  
Maximum thermal resistance,  
junction to heatsink  
RthJ-hs  
K/W  
0.038  
Mounting force, 10 ꢀ  
Approximate weight  
Case style  
9800 (1000)  
83  
N (kg)  
g
See dimensions - link at the end of datasheet  
B-43  
RthJ-hs CONDUCTION  
SINUSOIDAL CONDUCTION  
RECTANGULAR CONDUCTION  
CONDUCTION ANGLE  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
SINGLE SIDE  
0.007  
DOUBLE SIDE SINGLE SIDE  
DOUBLE SIDE  
180°  
120°  
90°  
0.007  
0.008  
0.010  
0.015  
0.026  
0.005  
0.008  
0.011  
0.016  
0.026  
0.005  
0.008  
0.011  
0.016  
0.026  
0.008  
0.010  
TJ = TJ maximum  
K/W  
60°  
0.015  
30°  
0.026  
Note  
•
The table above shows the increment of thermal resistance RthJ-hs when devices operate at different conduction angles than DC  
Revision: 14-Jan-14  
Document Number: 93535  
2
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
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