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VS-80RIA40M

更新时间： 2024-02-27 15:37:40
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 184K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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VS-80RIA40M 技术参数

生命周期：Active包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：20 weeks 1 day风险等级：5.67
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：120 mAJEDEC-95代码：TO-209AC
JESD-30 代码：O-MUPM-H3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
最大均方根通态电流：125 A断态重复峰值电压：400 V
重复峰值反向电压：400 V表面贴装：NO
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

VS-80RIA40M 数据手册

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VS-80RIA...PbF, VS-81RIA...PbF, VS-82RIA...PbF Series  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
IT(AV)  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
80  
85  
A
Maximum average on-state current  
at case temperature  
180° conduction, half sine wave  
°C  
Maximum RMS on-state current  
IT(RMS)  
DC at 75 °C case temperature  
125  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
t = 8.3 ms  
1900  
1990  
1600  
1675  
18  
No voltage  
reapplied  
A
Maximum peak, one-cycle  
non-repetitive surge current  
ITSM  
100 % VRRM  
reapplied  
Sinusoidal half wave,  
initial TJ = TJ maximum  
No voltage  
16  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
kA2s  
12.7  
11.7  
180.5  
0.99  
1.13  
2.29  
1.84  
1.60  
200  
100 % VRRM  
reapplied  
Maximum I2t for fusing  
I2t  
VT(TO)1  
VT(TO)2  
rt1  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
(16.7 % x x IT(AV) < I < x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
(I > x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
kA2s  
Low level value of threshold voltage  
High level value of threshold voltage  
Low level value of on-state slope resistance  
High level value of on-state slope resistance  
Maximum on-state voltage  
V
(16.7 % x x IT(AV) < I < x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
(I > x IT(AV)), TJ = TJ maximum  
m  
V
rt2  
VTM  
IH  
Ipk = 250 A, TJ = 25 °C, tp = 10 ms sine pulse  
Maximum holding current  
TJ = 25 °C, anode supply 12 V resistive load  
mA  
Typical latching current  
IL  
400  
SWITCHING  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
TJ = 125 °C, Vd = Rated VDRM, ITM = 2 x dI/dt snubber  
0.2 μF, 15 , gate pulse: 20 V, 65 , tp = 6 μs, tr = 0.5 μs  
Per JEDEC standard RS-397, 5.2.2.6.  
Maximum non-repetitive rate of  
rise of turned-on current  
dI/dt  
300  
A/μs  
Gate pulse: 10 V, 15 source, tp = 6 μs, tr = 0.1 μs,  
Typical delay time  
td  
tq  
1
Vd = Rated VDRM, ITM = 50 Adc, TJ = 25 °C  
μs  
ITM = 50 A, TJ = TJ maximum, dI/dt = - 5 A/μs, VR = 50 V,  
dV/dt = 20 V/μs, gate bias: 0 V 25 , tp = 500 μs  
Typical turn-off time  
110  
BLOCKING  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
VALUES UNITS  
Maximum critical rate of rise of   
dV/dt  
TJ = 125 °C exponential to 67 % rated VDRM  
500  
15  
V/μs  
mA  
off-state voltage  
Maximum peak reverse and   
off-state leakage current  
IRRM  
,
TJ = 125 °C rated VDRM/VRRM applied  
IDRM  
Revision: 11-Mar-14  
Document Number: 94392  
2
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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