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VS-19TQ015STRL-M3

更新时间： 2024-01-30 08:29:21
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 200K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15V V(RRM), Silicon, TO-263AB, D2PAK-3/2

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VS-19TQ015STRL-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.46 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：330 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：15 V最大反向电流：10500 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VS-19TQ015STRL-M3 数据手册

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VS-19TQ015S-M3  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
High Performance Schottky Rectifier, 19 A  
FEATURES  
• 125 °C TJ operation (VR < 5 V)  
• Optimized for OR-ing applications  
• Ultralow forward voltage drop  
• High frequency operation  
Base  
cathode  
2
2
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term  
reliability  
1
3
1
3
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for  
enhanced mechanical strength and moisture resistance  
N/C  
Anode  
D2PAK (TO-263AB)  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 245 °C  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
• Designed and qualified according to JEDEC®-JESD 47  
IF(AV)  
19 A  
15 V  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
VR  
VF at IF  
0.36 V  
DESCRIPTION  
I
RM max.  
522 mA at 100 °C  
125 °C  
TJ max.  
EAS  
The VS-19TQ015S-M3 Schottky rectifier has been  
optimized for ultralow forward voltage drop specifically for  
the OR-ing of parallel power supplies. The proprietary  
barrier technology allows for reliable operation up to 125 °C  
junction temperature. Typical applications are in parallel  
switching power supplies, converters, reverse battery  
protection, and redundant power subsystems.  
6.75 mJ  
D2PAK (TO-263AB)  
Package  
Circuit configuration  
Single  
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
CHARACTERISTICS  
VALUES  
19  
UNITS  
Rectangular waveform  
A
V
15  
tp = 5 μs sine  
19 Apk, TJ = 75 °C  
Range  
700  
A
VF  
0.32  
V
TJ  
-55 to +125  
°C  
VOLTAGE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VR  
VS-19TQ015S-M3  
UNITS  
Maximum DC reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
15  
V
VRWM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
50 % duty cycle at TC = 80 °C, rectangular waveform  
VALUES  
UNITS  
Maximum average forward current  
See fig. 5  
IF(AV)  
19  
A
5 μs sine or 3 μs rect. pulse  
700  
Maximum peak one cycle  
non-repetitive surge current  
See fig. 7  
Following any rated  
load condition and with  
rated VRRM applied  
IFSM  
A
10 ms sine or 6 ms rect. pulse  
330  
Non-repetitive avalanche energy  
Repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
TJ = 25 °C, IAS = 1.50 A, L = 6 mH  
6.75  
mJ  
A
Current decaying linearly to zero in 1 μs  
Frequency limited by TJ maximum VA = 3 x VR typical  
1.50  
Revision: 27-Oct-17  
Document Number: 95730  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-19TQ015STRLPBF VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 19A, 15V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND
VS1A101MC054000CE0 HWE

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