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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.61 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 120 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.23 A | 最大漏源导通电阻： | 6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-226AA | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| VN1206LTR1 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| VN1206M | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 330MA I(D) | TO-237 |
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| VN1206M-1 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| VN1206M18 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| VN1206M18-2 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| VN1206M-1TA | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 120V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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