VBP104FASR

更新时间： 2024-01-11 02:15:24

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威世 - VISHAY		光电二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	163K
描述
Silicon PIN Photodiode

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VBP104FASR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.60.50	风险等级：	1.56
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
2D Presentation：	https://componentsearchengine.com/2D/0T/357167.1.1.png	Schematic Symbol：	https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=357167
PCB Footprint：	https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=357167	3D View：	https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=357167
Samacsys PartID：	357167	Samacsys Image：	https://componentsearchengine.com/Images/9/VBP104SR.jpg
Samacsys Thumbnail Image：	https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/VBP104SR.jpg	Samacsys Pin Count：	2
Samacsys Part Category：	Diode	Samacsys Package Category：	Small Outline Diode
Samacsys Footprint Name：	VBP104SR	Samacsys Released Date：	2016-07-27 11:26:04
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH SENSITIVITY
配置：	SINGLE	最大暗电源：	30 nA
红外线范围：	YES	JESD-609代码：	e3
标称光电流：	0.035 mA	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	PIN PHOTODIODE
峰值波长：	940 nm	最小反向击穿电压：	60 V
最大反向电压：	60 V	半导体材料：	Silicon
形状：	SQUARE	尺寸：	2.4 mm
子类别：	Photo Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

VBP104FASR 数据手册

VBP104FAS, VBP104FASR

Vishay Semiconductors

Silicon PIN Photodiode

FEATURES

• Package type: surface mount

• Package form: GW, RGW

VBP104FAS

• Dimensions (L x W x H in mm): 6.4 x 3.9 x 1.2

• Radiant sensitive area (in mm²): 4.4

• High radiant sensitivity

• Daylight blocking filter matched with 870 nm to

950 nm emitters

• Fast response times

• Angle of half sensitivity: ϕ = 65°

• Floor life: 168 h, MSL 3, acc. J-STD-020

• Lead (Pb)-free reflow soldering

VBP104FASR

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

21726-1

APPLICATIONS

DESCRIPTION

• High speed detector for infrared radiation

VBP104FAS and VBP104FASR are high speed and high

sensitive PIN photodiodes. It is a surface mount device

(SMD) including the chip with a 4.4 mm²sensitive area and

a daylight blocking filter matched with IR emitters operating

at wavelength 870 nm or 950 nm.

• Infrared

remote

control

and

free

air

data

transmissionsystems, e.g. in combination with TSFFxxxx

series IR emitters

PRODUCT SUMMARY

COMPONENT

VBP104FAS

VBP104FASR

I_ra(µA)

ϕ (deg)

λ_0.5(nm)

780 to 1050

Note

•

Test conditions see table “Basic Characteristics”

ORDERING INFORMATION

ORDERING CODE

PACKAGING

REMARKS

PACKAGE FORM

Gullwing

VBP104FAS

Tape and reel

MOQ: 1000 pcs, 1000 pcs/reel

VBP104FASR

Reverse gullwing

Note

MOQ: minimum order quantity

•

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Reverse voltage

V_R

Power dissipation

T_amb≤ 25 °C

P_V

215

°C

Junction temperature

Operating temperature range

Storage temperature range

Soldering temperature

Thermal resistance junction/ambient

T_j

100

T_amb

T_stg

- 40 to + 100

260

°C

Acc. reflow sloder profile fig. 8

T_sd

°C

R_thJA

350

K/W

Document Number: 81169

Rev. 1.1, 20-Apr-10

For technical questions, contact: detectortechsupport@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
VBP104S	VISHAY	Silicon PIN Photodiode	获取价格
VBP104S_11	VISHAY	Silicon PIN Photodiode	获取价格
VBP104SR	VISHAY	Silicon PIN Photodiode	获取价格
VBPW34FA	VISHAY	Silicon PIN Photodiode	获取价格
VBPW34FAS	VISHAY	Silicon PIN Photodiode	获取价格
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