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V3PM6HM3/I

更新时间： 2024-01-15 07:14:41
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 115K
描述
Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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V3PM6HM3/I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.63 VJEDEC-95代码：DO-220AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：2.4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：200 µA
反向测试电压：60 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUALBase Number Matches：1

V3PM6HM3/I 数据手册

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V3PM6  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA = 25 C unless otherwise noted)  
Axis Title  
RthJM = 15 °C/W  
Axis Title  
3.5  
3
10000  
1000  
100  
100  
10  
10000  
1000  
100  
1
RthJA = 125 °C/W  
2.5  
2
0.1  
TJ = 175 °C  
TJ = 150 °C  
TJ = 100 °C  
TJ = 125 °C  
TJ = 25 °C  
0.01  
1.5  
1
0.001  
0.0001  
0.00001  
0.000001  
TJ = -40 °C  
0.5  
0
TM measured at cathode  
terminal mount typical values  
10  
10  
0
25 50 75 100 125 150 175  
Mount Temperature (°C)  
20  
40  
60  
80  
100  
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)  
Fig. 1 - Maximum Forward Current Derating Curve  
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics  
Axis Title  
Axis Title  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
10000  
1000  
100  
10  
10000  
1000  
100  
D = 0.8  
TJ = 25 °C  
f = 1.0 MHz  
D = 0.5  
D = 0.3  
D = 0.2  
Vsig = 50 mVp-p  
1000  
100  
10  
D = 1.0  
D = 0.1  
T
D = tp/T  
tp  
10  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
0.1  
1
10  
100  
Average Forward Current (A)  
Reverse Voltage (V)  
Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics  
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance  
Axis Title  
Axis Title  
10  
10000  
1000  
100  
1000  
100  
10  
10000  
1000  
100  
TJ = 175 °C  
Junction to ambient  
TJ = 150 °C  
TJ = 100 °C  
1
TJ = 125 °C  
TJ = 25 °C  
TJ = -40 °C  
0.1  
10  
10  
1
0.01  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0.1  
1
10  
100  
Instantaneous Forward Voltage (V)  
t - Pulse Duration (s)  
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics  
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance  
Revision: 14-Jun-2019  
Document Number: 87464  
3
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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