UT70N03G-TN3-T

更新时间： 2025-06-13 07:08:55

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UT70N03G-TN3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.68	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	195 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UT70N03G-TN3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT70N03

Preliminary

Power MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE

DESCRIPTION

The UT70N03 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

FEATURES

* R_DS(ON)< 9mΩ @ V_GS=10V, I_D=33A

* R_DS(ON)< 18mΩ @ V_GS=4.5V, I_D=20A

* Low capacitance

* Low gate charge

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UT70N03L-TM3-T

UT70N03L-TN3-T

UT70N03L-TN3-R

UT70N03G-TM3-T

UT70N03G-TN3-T

UT70N03G-TN3-R

TO-251

TO-252

Tube

Tape Reel

www.unisonic.com.tw

1 of 5

QW-R502-269.c

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UT70N03L-TM3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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UT70P02	UTC	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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UT70P03	UTC	获取价格	75A, 30V P-CHANNEL POWER MOSFET
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