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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -195 °C |
| 最大输出电流： | 4 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UT4060E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
|
| UT4080 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 4A, Silicon, |
|
| UT40N03 | UTC |
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40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| UT40N03G-TM3-T | UTC |
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40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| UT40N03G-TN3-R | UTC |
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40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| UT40N03L-TM3-T | UTC |
获取价格 |
40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| UT40N03L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
40 Amps, 30 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| UT40N03T | UTC |
获取价格 |
30V, 28A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| UT40N03T_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| UT40N03TG-K08-3030-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
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