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UT2304L-AB3-R

更新时间: 2024-02-19 06:00:42
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友顺 - UTC 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 211K
描述
Power Field-Effect Transistor

UT2304L-AB3-R 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2.5 A
最大漏极电流 (ID):2.5 A最大漏源导通电阻:0.117 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:1.4 W最大功率耗散 (Abs):1.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

UT2304L-AB3-R 数据手册

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UT2304  
Power MOSFET  
„
TYPICAL CHARACTERISTICS  
Gate Threshold Voltage vs. Junction  
Temperature  
Forward Characteristic of Reverse Diode  
2.05  
10.00  
1.85  
1.65  
1.00  
0.10  
0.01  
TJ=150℃  
TJ=25℃  
1.45  
1.25  
0.1  
0.5  
0.9  
1.3  
-50  
0
50  
100  
150  
Source-to-Drain Voltage, VSD (V)  
Junction Temperature, TJ ()  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
3 of 5  
QW-R502-150.E  
www.unisonic.com.tw  

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