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UT100N03G-TND-R

更新时间： 2024-01-30 07:21:35

品牌	Logo	应用领域
友顺 - UTC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	364K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252D, 3/2 PIN

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UT100N03G-TND-R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
雪崩能效等级（Eas）：	875 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0053 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UT100N03G-TND-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT100N03

Power MOSFET

100A, 30V N-CHANNEL

POWER MOSFET



DESCRIPTION

TO-220

TO-251

TO-220F

The UT100N03 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with

low gate voltages. This device is suitable for use as a load

switch or in PWM applications.

TO-252



FEATURES

* R_DS(ON)< 5.3mΩ@V_GS=10 V, I_D=50 A

* R_DS(ON)< 8.0mΩ@V_GS=4.5 V, I_D=40 A

DFN-8(5x6)

TO-263



SYMBOL

Drain

Gate

Source

 ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

TO-220

Packing

Lead Free

Halogen Free

UT100N03L-TA3-T

UT100N03L-TF3-T

UT100N03L-TM3-T

UT100N03L-TN3-R

UT100N03L-TND-R

UT100N03L-TQ2-T

UT100N03L-TQ2-R

UT100N03G-TA3-T

UT100N03G-TF3-T

UT100N03G-TM3-T

UT100N03G-TN3-R

UT100N03G-TND-R

UT100N03G-TQ2-T

UT100N03G-TQ2-R

G D

Tube

TO-220F G D

TO-251

TO-252

G D

Tube

Tape Reel

Tube

TO-252D G D

TO-263

G D

Tape Reel

UT100N03G-K08-5060-R DFN-8(5×6) S

S S G D D D D Tape Reel

Note: Pin Assignment: G: Gate

D: Drain

S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 7

QW-R502-193.H

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