Datasheet > 存储 > DRAM> UPD45128163G5-A80LT-9JF

UPD45128163G5-A80LT-9JF

更新时间： 2024-01-14 11:28:15

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
86页	761K
描述
128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPD45128163G5-A80LT-9JF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	8MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

UPD45128163G5-A80LT-9JF 数据手册

浏览型号UPD45128163G5-A80LT-9JF的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号UPD45128163G5-A80LT-9JF的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号UPD45128163G5-A80LT-9JF的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号UPD45128163G5-A80LT-9JF的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号UPD45128163G5-A80LT-9JF的Datasheet PDF文件第6页

DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

µPD45128163-T

128M-bit Synchronous DRAM

4-bank, LVTTL

WTR (Wide Temperature Range)

Description

The µPD45128163 is high-speed 134,217,728-bit synchronous dynamic random-access memory, organized as

2,097,152 × 16 × 4 (word × bit × bank).

The synchronous DRAM achieved high-speed data transfer using the pipeline architecture.

All inputs and outputs are synchronized with the positive edge of the clock.

The synchronous DRAM is compatible with Low Voltage TTL (LVTTL).

This product is packaged in 54-pin TSOP (II).

Features

• Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge

• Pulsed interface

• Possible to assert random column address in every cycle

• Quad internal banks controlled by BA0(A13) and BA1(A12)

• Byte control by LDQM and UDQM

• Programmable Wrap sequence (Sequential / Interleave)

• Programmable burst length (1, 2, 4, 8 and full page)

• Programmable /CAS latency (2 and 3)

• Ambient temperature (T^A): −20 to + 85°C

• Automatic precharge and controlled precharge

• CBR (Auto) refresh and self refresh

• ×16 organization

• Single 3.3 V ± 0.3 V power supply

• LVTTL compatible inputs and outputs

• 4,096 refresh cycles / 64 ms

• Burst termination by Burst stop command and Precharge command

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local Elpida Memory, Inc. for

availability and additional information.

Document No. E0348N10 (Ver.1.0)

Date Published February 2003 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2003

Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

12 3 4 5 6 7...86

下载PDF

与UPD45128163G5-A80LT-9JF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPD45128163G5-A80SU-9JF	ELPIDA	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, MOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54	获取价格
UPD45128163G5-A80T-9JF	ELPIDA	128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range)	获取价格
UPD45128163-I	ELPIDA	128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range)	获取价格
UPD45128163-I-E	ELPIDA	128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range)	获取价格
UPD45128163-T	ELPIDA	128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range)	获取价格
UPD45128441	NEC	128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL	获取价格

与UPD45128163G5-A80LT-9JF相关文章

NE5532双低噪声运算放大器：资料手册参数分析
2024-05-07

8
74LS138 3-to-8线解码器/多路复用器：资料手册参数分析
2024-05-07

17
TDA2030音频功率放大器：资料手册参数分析
2024-05-07

36
74HC595移位寄存器芯片：参数深入解析与应用实践指南
2024-05-07

26

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPD45128163G5-A80LT-9JF

UPD45128163G5-A80LT-9JF 技术参数

UPD45128163G5-A80LT-9JF 数据手册

与UPD45128163G5-A80LT-9JF相关器件

与UPD45128163G5-A80LT-9JF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPD45128163G5-A80LT-9JF

UPD45128163G5-A80LT-9JF 技术参数

UPD45128163G5-A80LT-9JF 数据手册

与UPD45128163G5-A80LT-9JF相关器件

与UPD45128163G5-A80LT-9JF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？