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UPD42S4400AGS-70

更新时间: 2024-01-14 07:07:44
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 1155K
描述
x4 Fast Page Mode DRAM

UPD42S4400AGS-70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP20/26,.36Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G20
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP20/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:YES
最大待机电流:0.0002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.1 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

UPD42S4400AGS-70 数据手册

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