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UPD23C256112AGY-XXX-MKH-A PDF预览

UPD23C256112AGY-XXX-MKH-A

更新时间： 2024-01-29 12:23:43
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 有原始数据的样本ROMISM频段光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 243K
描述
MASK ROM, 32MX8, MOS, PDSO48, 12 X 18 MM, LEAD FREE, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48

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UPD23C256112AGY-XXX-MKH-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP1-R,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84JESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e3/e6长度：16.4 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：48字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1-R封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：MOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：12 mmBase Number Matches：1

UPD23C256112AGY-XXX-MKH-A 数据手册

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DATA SHEET  
MOS INTEGRATED CIRCUIT  
μPD23C256112A  
NAND INTERFACE  
256M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM  
Description  
The μPD23C256112A is a 256 Mbit NAND interface programmable mask read-only memory that operates with a  
single power supply. The memory organization consists of (512 + 16 (Redundancy)) bytes x 32 pages x 2,048 blocks.  
The μPD23C256112A is a serial type mask ROM in which addresses and commands are input and data output serially  
via the I/O pins.  
The μPD23C256112A is packed in 48-pin PLASTIC TSOP(I).  
Features  
• Word organization  
(33,554,432 + 1,048,576Note) words by 8 bits  
• Page size  
(512 + 16Note) by 8 bits  
• Block size  
(16,384 + 512Note) by 8 bits  
Note Underlined parts are redundancy.  
Caution Redundancy is not programmable parts and is fixed to all FFH.  
• Operation mode  
READ mode (1), READ mode (2), READ mode (3), RESET, STATUS READ, ID READ  
• Operating supply voltage : VCC = 3.3 ± 0.3 V  
• Access Time  
Memory cell array to starting address  
Read cycle time  
: 7 μs (MAX.)  
: 50 ns (MIN.)  
: 35 ns (MAX.)  
/RE access time  
• Operating supply current  
During read  
: 30 mA (MAX.) (50 ns cycle operation)  
During standby (CMOS) : 100 μA (MAX.)  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. M15902EJ3V0DS00 (3rd edition)  
Date Published February 2006 NS CP (K)  
Printed in Japan  
The mark <R> shows major revised points.  
The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD23C256112GY-XXX-MKH NEC

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 		MASK ROM, 32MX8, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
UPD23C256E NEC

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 		32,368 x 8-BIT MASK-PROGRAMMABLE CMOS ROM
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UPD23C32000AL NEC

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 		32M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 4M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 2M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE)

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