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UFZT689B PDF预览

UFZT689B

更新时间： 2024-02-12 12:07:51
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 103K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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UFZT689B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOT-223, 4 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.19外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
VCEsat-Max：0.45 VBase Number Matches：1

UFZT689B 数据手册

 浏览型号UFZT689B的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER HIGH GAIN TRANSISTOR  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
FZT689B  
FEATURES  
*
*
Gain of 400 at IC=2 Amps and low saturation voltage  
C
Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) 92mΩ at 3A  
APPLICATIONS  
*
*
Darlington replacement  
E
Flash gun convertors and Battery powered circuits  
PARTMARKING DETAIL -  
COMPLEMENTARY TYPE -  
FZT689B  
FZT789B  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
20  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
20  
5
V
Peak Pulse Current  
8
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
3
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C)  
amb  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
PARAMETER  
Breakdown Voltage  
Collector-Base  
Collector-Emitter  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
20  
20  
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
Emitter-Base  
V(BR)EBO  
ICBO  
5
V
IE=100µA  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
0.1  
0.1  
V
CB=16V  
EB=4V  
µA  
µA  
IEBO  
V
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.10  
0.50  
0.45  
V
V
V
IC=0.1A, IB=0.5mA*  
IC=2A, IB=10mA*  
IC=3A, IB=20mA*  
Base-EmitterSaturationVoltage VBE(sat)  
0.9  
0.9  
V
V
IC=1A, IB=10mA*  
IC=1A, VCE=2V*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
VBE(on)  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
hFE  
500  
400  
150  
IC=0.1A, VCE=2V*  
IC=2A, VCE=2V*  
IC=6A, VCE=2V*  
Transition Frequency  
fT  
150  
MHz IC=50mA, VCE=5V  
f=50MHz  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cibo  
200  
16  
pF  
pF  
VEB=0.5V, f=1MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
Cobo  
ton  
toff  
30  
800  
ns  
ns  
IC=500mA,IB1=50mA  
IB2=50mA, VCC=10V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 219  
12

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