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UF2D-T3-LF PDF预览

UF2D-T3-LF

更新时间： 2024-02-26 10:42:03
品牌 Logo 应用领域
WTE 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 71K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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UF2D-T3-LF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.07
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

UF2D-T3-LF 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
UF2A – UF2M  
2.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE  
Features  
ꢀ
Glass Passivated Die Construction  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Forward Voltage Drop, High Efficiency  
Surge Overload Rating to 50A Peak  
Low Power Loss  
Ultra-Fast Recovery Time  
Plastic Case Material has UL Flammability  
Classification Rating 94V-O  
B
D
A
F
C
H
G
E
SMB/DO-214AA  
Min  
Mechanical Data  
Dim  
A
Max  
3.94  
4.70  
2.11  
ꢀ
Case: SMB/DO-214AA, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
3.30  
ꢀ
B
4.06  
C
1.91  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
Weight: 0.093 grams (approx.)  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
D
0.152  
5.08  
0.305  
5.59  
2.44  
0.203  
1.27  
E
F
2.13  
G
H
0.051  
0.76  
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
UF2A  
UF2B  
UF2D  
UF2G  
UF2J  
UF2K  
UF2M  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
280  
2.0  
V
A
Average Rectified Output Current @TL = 90°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
50  
A
Forward Voltage  
@IF = 2.0A  
VFM  
IRM  
1.0  
1.4  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage @TA = 100°C  
@TA = 25°C  
10  
500  
µA  
Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
Cj  
50  
100  
nS  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
50  
20  
RθJL  
Tj, TSTG  
°C/W  
°C  
-50 to +150  
Note: 1. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A. See figure 5.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.  
3. Mounted on P.C. Board with 8.0mm2 land area.  
UF2A – UF2M  
1 of 4  
© 2006 Won-Top Electronics  
1234

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