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UF200G

更新时间： 2024-02-13 19:44:21
品牌 Logo 应用领域
亞昕 - YEASHIN 二极管开关功效
页数 文件大小 规格书
2页 38K
描述
ULTRAFAST SWITCHING RECTIFIER VOLTAGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 2.0 Amperes

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UF200G 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-15
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.72Is Samacsys：N
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-15
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

UF200G 数据手册

 浏览型号UF200G的Datasheet PDF文件第2页 
DATA SHEET  
SEMICONDUCTOR  
UF200G~UF2010G  
ULTRAFAST SWITCHING RECTIFIER  
VOLTAGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 2.0 Amperes  
FEATURES  
•
Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-O utilizing  
Flame Retardant Epoxy Molding Compound  
DO-15  
Unit:inch(mm)  
• Void-free Plastic in DO-15 package  
• 2.0 ampere operation at TA=55 OC•with no thermal runaway  
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228  
• Ultra fast switching for high efficiency  
.140 (3.6)  
.104 (2.6)  
DIA.  
1.0 (25.4)  
MIN.  
• High temperature soldering : 260OC / 10 seconds at terminals  
•
Pb free product at available : 99% Sn above meet RoHS environment  
substance directive request  
.300 (7.6)  
.230 (5.8)  
MECHANICAL DATA  
• Case: Glass passivation, DO-15  
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
1.0 (25.4)  
MIN.  
.034 (.86)  
.028 (.71)  
DIA.  
• Polarity: Band denotes cathode  
• Mounting Position: Any  
• Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 OC J ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
SYMBOL  
U200G U201G U202G  
U204G U206G U208G U2010G UNITS  
v
RRM  
RMS  
DC  
Peak Reverse Voltage, Pepetitive ; VRM  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
v
v
DC Blocking Voltage; VR  
100  
1000  
Average Forward Current, Io @TA=55°C 3. 8”  
lead length, 60Hz, resistive or inductive load  
Peak Forward Surge Current IFM (surge)  
8.3msec. single half sine- wave superimposed  
2.0  
A
I(AV)  
60  
A
V
IFSM  
rated load  
(JEDEC method)  
on  
1.00  
1.3  
1.5  
1.7  
°C  
°C  
VF  
IR  
Maximum Forward Voltage VF @2.0A, 25  
Maximum Reverse Current, @ Rated TA=25  
Reverse Voltage TA=100  
5
µA  
µA  
100  
35  
45  
°C  
Typical Junction capaci tance (Note 1) CJ  
CJ  
pF  
RθJL  
Typical Junction Resistance (Note 2) R JA  
Reverse Recovery Time  
°C/W  
50  
75  
ns  
TRR  
IF=.5A, IR =1A, Irr=.25A  
TSTG  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
NOTES:  
-55 to +150  
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC  
2. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375”(9.5mm) P.C.B. mounted  
http://www.yeashin.com  
1
REV.02 20110725  
12

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