Datasheet > U633H04SK45

U633H04SK45

更新时间： 2023-01-02 19:27:26

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	202K
描述
512X8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOP-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

U633H04SK45 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.58
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
长度：	17.9 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512X8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.65 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.5 mm

U633H04SK45 数据手册

Preliminary

U633H04

Recommended

Operating Conditions

Symbol

Conditions

Min.

Max.

Unit

Power Supply Voltage^b

4.5

-0.3

2.2

5.5

0.8

V_CC

V_IL

-2 V at Pulse Width

10 ns permitted

Input Low Voltage

Input High Voltage

V_IH

V_CC+0.3

C-Type

K-Type

DC Characteristics

Symbol

Conditions

Unit

Min. Max. Min. Max.

Operating Supply Current^c

I_CC1

V_CC

V_IL

V_IH

= 5.5 V

= 0.8 V

= 2.2 V

t_c

= 25 ns

= 45 ns

Average Supply Current during

STORE^c

I_CC2

V_CC

= 5.5 V

≤ 0.2 V

V_IL

V_IH

≥ V_CC-0.2 V

≤ 0.2 V

≥ V_CC-0.2 V

Average Supply Current during

PowerStore Cycle

I_CC4

V_CC

V_IL

= 4.5 V

= 0.2 V

V_IH

≥ V_CC-0.2 V

Standby Supply Current^d

(Cycling TTL Input Levels)

I_CC(SB)1V_CC

= 5.5 V

= V_IH

t_c

= 25 ns

= 45 ns

Operating Supply Current

at t_cR= 200 ns^c

(Cycling CMOS Input Levels)

I_CC3

V_CC

V_IL

V_IH

= 5.5 V

≥ V_CC-0.2 V

≤ 0.2 V

≥ V_CC-0.2 V

Standby Supply Current^d

I_CC(SB)V_CC

= 5.5 V

(Stable CMOS Input Levels)

V_IL

V_IH

≥ V_CC-0.2 V

≤ 0.2 V

≥ V_CC-0.2 V

b: V_CCreference levels throughout this datasheet refer to V_CCXif that is where the power supply connection is made, or V_CAPif V_CCXis con-

nected to ground.

_CC1and I_CC3are depedent on output loading and cycle rate. The specified values are obtained with outputs unloaded.

The current I_CC1is measured for WRITE/READ - ratio of 1/2.

_CC2is the average current required for the duration of the STORE cycle (STORE Cycle Time).

d: Bringing E ≥ V_IHwill not produce standby current levels until any nonvolatile cycle in progress has timed out. See MODE SELECTION

table. The current I_CC(SB)1is measured for WRITE/READ - ratio of 1/2.

December 12, 1997

1 234 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与U633H04SK45相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
U634H256	SIMTEK	获取价格	PowerStore 32K x 8 nvSRAM
U634H256	ZMD	获取价格	POWERSTORE 32K X 8 NVSRAM
U634H256BD1C25	SIMTEK	获取价格	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1C25G1	SIMTEK	获取价格	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1C35	SIMTEK	获取价格	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1C35G1	SIMTEK	获取价格	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1C45	SIMTEK	获取价格	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1C45G1	SIMTEK	获取价格	Non-Volatile SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
U634H256BD1K25	ETC	获取价格	NVRAM (EEPROM Based)
U634H256BD1K35	SIMTEK	获取价格	32KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

与U633H04SK45相关文章

LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
2024-06-14

11
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
2024-06-14

14
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-14

8
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
2024-06-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

U633H04SK45

U633H04SK45 技术参数

U633H04SK45 数据手册

与U633H04SK45相关器件

与U633H04SK45相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

U633H04SK45

U633H04SK45 技术参数

U633H04SK45 数据手册

与U633H04SK45相关器件

与U633H04SK45相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？