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U632H64BD1C35G1 PDF预览

U632H64BD1C35G1

更新时间： 2024-02-06 10:41:36
品牌 Logo 应用领域
SIMTEK 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 229K
描述
8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP28, 0.600 INCH, GREEN, PLASTIC, DIP-28

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U632H64BD1C35G1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP28,.6针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.14
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e3长度：37.1 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.1 mm最大待机电流：0.003 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

U632H64BD1C35G1 数据手册

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U632H64  
f
=
=
VIL, W = VIH)  
Read Cycle 1: Ai-controlled (during Read cycle: E  
G
tcR  
(1)  
Ai  
Address Valid  
ta(A)  
(2)  
DQi  
Output Data Valid  
Previous Data Valid  
Output  
tv(A)  
(9)  
Read Cycle 2: G-, E-controlled (during Read cycle: W = VIH)g  
tcR  
(1)  
Ai  
E
Address Valid  
ta(A)  
tPD  
(2)  
ta(E)  
(11)  
(3)  
tdis(E)  
(5)  
ten(E)  
(7)  
G
ta(G)  
(4)  
tdis(G)  
(6)  
ten(G) (8)  
(10)  
DQi  
High Impedance  
Output  
Output Data Valid  
tPU  
ACTIVE  
ICC  
STANDBY  
Symbol  
25  
35  
45  
Switching Characteristics  
Write Cycle  
No.  
Unit  
Alt. #1 Alt. #2  
IEC  
Min. Max. Min. Max. Min. Max.  
12 Write Cycle Time  
tAVAV  
tAVAV  
tcW  
25  
20  
20  
0
35  
30  
30  
0
45  
35  
35  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
13 Write Pulse Width  
tWLWH  
tw(W)  
14 Write Pulse Width Setup Time  
15 Address Setup Time  
tWLEH  
tAVEL  
tAVEH  
tsu(W)  
tsu(A)  
tsu(A-WH)  
tsu(E)  
tAVWL  
tAVWH  
tELWH  
16 Address Valid to End of Write  
17 Chip Enable Setup Time  
18 Chip Enable to End of Write  
19 Data Setup Time to End of Write  
20  
20  
20  
12  
0
30  
30  
30  
18  
0
35  
35  
35  
20  
0
tELEH  
tDVEH  
tEHDX  
tEHAX  
tw(E)  
tDVWH  
tsu(D)  
th(D)  
20 Data Hold Time after End of Write tWHDX  
21 Address Hold after End of Write  
22 W LOW to Output in High-Zh, i  
23 W HIGH to Output in Low-Z  
tWHAX  
tWLQZ  
tWHQX  
th(A)  
0
0
0
tdis(W)  
ten(W)  
10  
13  
15  
5
5
5
5
April 7, 2005  
12345678...15

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与U632H64BD1C35G1相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
U632H64BD1C45 SIMTEK Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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U632H64BD1C45G1 SIMTEK Non-Volatile SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, GREEN, PLASTIC, DIP-28

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