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U5ZA53C

更新时间： 2024-02-26 03:52:15

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东芝 - TOSHIBA		二极管齐纳二极管
页数	文件大小	规格书
3页	76K
描述
Silicon Diffused-Junction Type Zener Diode

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U5ZA53C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSSO-C1
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.88	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-C1
元件数量：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	53 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	C BEND	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	10%
工作测试电流：	10 mA	Base Number Matches：	1

U5ZA53C 数据手册

U5ZA53C

TOSHIBA Zener Diode Silicon Diffused-Junction Type

U5ZA53C

Best Suited for Overvoltage Protection of Electronic

Unit: mm

System:

Electronic System for Use in Automobiles

Electronic System for Commercial Use

Electronic System for Industrial Use

For Communications, Controls, Measuring Instruments,

etc.

High surge power withstanding capabilities that absorb load dump

surge.

Excellent surge responsibility for steep surge absorption.

Surface mount type is available for easy applications.

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

3-11J2A

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Weight: 2.5 g (typ.)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Allowable power dissipation

(Note)

Non-repetitive peak reverse surge

current

RSM

(see figure 1 for the exponents.)

Peak one cycle surge forward current

(single half sine-wave, t = 10 ms)

Junction temperature

700

RSM

FSM

-40 to 150

°C

Storage temperature

stg

10 ms

Note: Lead tip temperature T = 25°C

Figure 1

2002-08-14

12 3

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