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U2N7002

更新时间： 2024-01-15 21:40:40

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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN

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U2N7002 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.04
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.115 A	最大漏源导通电阻：	7.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

U2N7002 数据手册

SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

2N7002

ISSUE 4 – APRIL 2006

FEATURES

60 Volt V_CEO

PARTMARKING DETAIL – 702

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo lta g e

Co n tin u o u s Drain Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls ed Dra in Cu rre n t

I_D

115

m A

I_DM

800

Ga te-S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 40

Po w er Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

330

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre a kd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

I_D=10µA, V_GS=0V

I_D=250mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Ga te-S o u rce Th re s h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

2.5

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

500

V_DS=48V, V_GS=0V

_DS=48V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

500

m A

V_DS=25V, V_GS=10V

V_GS=10V, I_D=500m A

S tatic Drain -S o u rce On -S ta te

Vo lta g e (1)

V_{DS (o n )}

3.75

375

m V

V_GS=5V, I_D=50m A

S tatic Drain -S o u rce On -S ta te

Res ista n ce (1)

R_{DS (o n )}

g _fs

7.5

V_GS=10V, I_D=500m A

Ω

V_GS=5V, I_D=50m A

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce

(1)(2)

m S

V_DS=25V, I_D=500m A

In p u t Ca p a cita n ce (2)

C_{is s}

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

C_{o s s}

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r Cap acita n ce C_{rs s}

(2)

p F

Tu rn -On Tim e (2)(3)

Tu rn -Off Tim e (2)(3)

t_{(o n )}

t_{(o ff)}

n s

_DD≈30V, I_D=200m A

R_g=25Ω, R_L=150Ω

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sam ple test.

(3) Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

Spice param eter data is available upon request for this device

3 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
U2N7002TC	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
U2N7002TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
U2T101	NJSEMI	获取价格	Trans Darlington NPN 50V 1A 3-Pin E-Line
U2T105	NJSEMI	获取价格	Trans Darlington NPN 50V 1A 3-Pin E-Line
U2T201	NJSEMI	获取价格	Trans Darlington NPN 50V 1A 3-Pin E-Line
U2T205	NJSEMI	获取价格	Trans Darlington NPN 50V 1A 3-Pin E-Line
U2T301	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-33,
U2T305	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN
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U2T405	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN

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