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U1J4B42

更新时间: 2024-09-28 19:54:39
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东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
DIODE 1 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, 12-7A3A, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

U1J4B42 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOD包装说明:R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.88配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:33 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

U1J4B42 数据手册

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