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TXN808G

更新时间: 2024-02-05 19:30:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 345K
描述
Silicon controlled rectifiers

TXN808G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220AB, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.83Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED标称电路换相断开时间:70 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:500 V/us
最大直流栅极触发电流:25 mA最大直流栅极触发电压:1.5 V
最大维持电流:45 mAJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
最大漏电流:2 mA通态非重复峰值电流:85 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:5000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:8 A重复峰值关态漏电流最大值:10 µA
断态重复峰值电压:800 V重复峰值反向电压:800 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

TXN808G 数据手册

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