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TTP145N06A

更新时间： 2024-04-09 18:59:11

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
8页	826K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

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TTP145N06A 数据手册

TTB145N06A,TTP145N06A

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

Figure A：Gate Charge Test Circuit and Waveforms

Figure B：Resistive Switching Test Circuit and Waveforms

Figure C：Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit and Waveforms

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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