Datasheet > TT70N16KOF

TT70N16KOF

更新时间： 2024-09-30 15:55:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
13页	411K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1600V V(RRM)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TT70N16KOF 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
针数：	7	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
快速连接描述：	2G-2GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
通态非重复峰值电流：	1100 A	最大通态电流：	70000 A
最高工作温度：	130 °C	重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TT70N16KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT70N

Phase Control Thyristor Module

TT70N

TD70N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1600

2000

2400

1800 V

2200 V

V_DRM,V_RRM

1600

2000

2400

1700

2100

2500

1800 V

2200 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1900 V

2300 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

150 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

70 A

96 A

T_C= 85°C

T_C= 61°C

1650 A

1450 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

13600 A²s

10500 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

100 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

2,25 V

1 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 300 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

3,8 mΩ

200 mA

2 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,25 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

300 mA

I_L

max. 1200 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

25 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1) 2400V auf Anfrage / 2400V on request

C. Drilling

date of publication: 16.05.02

prepared by:

Revision:

approved by: J. Novotny

1/12

A 06/02

Seite/page

BIP AC / 16.05.2002; Drilling

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与TT70N16KOF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TT70N18KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 96000mA I(T), 1800V V(RRM)
TT70N18KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1800V V(RRM)
TT70N20KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 96000mA I(T), 2000V V(RRM)
TT70N20KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 2000V V(RRM)
TT70N22KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 96000mA I(T), 2200V V(RRM)
TT70N22KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 2200V V(RRM)
TT70N24KOC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 96000mA I(T), 2400V V(RRM)
TT70N24KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 150A I(T)RMS, 70000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM), 2 El
TT71F	ETC	获取价格	SCR / Diode Modules
TT71F08KEB	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 71000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Elem

与TT70N16KOF相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

30
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

27
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

26
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT70N16KOF

TT70N16KOF 技术参数

TT70N16KOF 数据手册

与TT70N16KOF相关器件

与TT70N16KOF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT70N16KOF

TT70N16KOF 技术参数

TT70N16KOF 数据手册

与TT70N16KOF相关器件

与TT70N16KOF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？