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TSDF03333X-GS08

更新时间： 2024-01-27 17:15:46

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	270K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, 6 PIN

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TSDF03333X-GS08 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	配置：	COMPLEX
最小漏源击穿电压：	8 V	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	20 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TSDF03333X-GS08 数据手册

TSDF03333X/TSDF03333XR

Vishay Semiconductors

Parameter

Test condition

G_S= 2 mS, G_L= 0.5 mS,

f = 200 MHz

Symbol

G_ps

Min

Typ.

Max

Unit

Power gain

G_S= 3,3 mS, G_L= 1 mS,

f = 800 MHz

G_ps

ΔG_ps

AGC range

_DS= 5 V, V_G2S= 1 to 4 V,

f = 800 MHz

_S= 2 mS, G_L= 0.5 mS,

Noise figure

f = 200 MHz

G_S= 3.3 mS, G_L= 1 mS,

f = 800 MHz

1.3

Cross modulation

Input level for k = 1 % @ 0 dB

AGC f_w= 50 MHz,

X_mod

dBμV

f_unw= 60 MHz

Input level for k = 1 % @ 40 dB

AGC f_w= 50 MHz,

X_mod

100

105

dBμV

f_unw= 60 MHz

Package Dimensions in mm (Inches)

0.25 (0.010)

0.10 (0.004)

1.00 (0.039)

0.80 (0.031)

0.10 (0.004)

ISO Method E

Mounting Pad Layout

2.20 (0.087)

1.80 (0.071)

0.35 (0.014)

0.30 (0.012)

0.20 (0.009)

0.65 (0.026) Ref.

0.65 (0.026)

1.3 (0.052)

14280

1.30 (0.052) Ref.

Document Number 84659

Rev. 1.0, 02-May-05

www.vishay.com

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